function npn2()

% festgelegte Werte

VCC = 1.5;          % Betriebsspannung (V)
VEE = -1.5;         % Betriebsspannung (V)
IC  = 10E-6;        % Kollektorstrom (A)
BN  = 172;          % Vorwärtsstromverstärkung 
BF  = 172;          % Vorwärtsstromverstärkung 
UBE = 0.7;          % Basis-Emiter-Spannung (V)
UBC = -0.7;         % Basis-Kollektor-Spannung (V)
ni  = 1.5E10;        % Inversions- oder Eigenleitungsdichte Silizium (cm^-3) [Kampe2012 - V2S4]
mn  = 1900;         % Beweglichkeit der Elektronen Silizium bei T = 300K (cm^2/Vs) [Morgenstern1989 - S72 - T3.1]
mp  = 425;          % Defektelektronenbeweglichkeit Silizium bei T = 300K (cm^2/Vs) [Morgenstern1989 - S72 - T3.1]
ni  = 1.5*10^10;    % Elektronen- oder Defektelektronendichte bei T = 300K (cm^-3) [Morgenstern1989 - S72 - T3.1]
k   = 1.3806504E-23;  % Boltzmann-Konstante (VAs/K)
T   = 300;          % Temperatur in Kelvin
e   = 1.602176487E-19; % Elementarladung (As) [Kampe2012 - V2S15]
n   = 1.0;          % Dotierungsindex festgelegt nach [Kampe2012 - V2S15] - 1 <= n <= 2
nf  = 1.0;          % Dotierungsindex festgelegt nach [Kampe2012 - V2S15] - 1 <= n <= 2
UA  = 82.3;         % Early-Spannung (V)
NA  = 1E16;         % Basisdotierung (1/cm^3)
BR  = 1;            % Rückwärtsstromverstärkung (festgelegt)
e0  = 8.854187817E-12;  % Dielektrizitätskonstante (As/Vm)
er  = 12;               % Dielektrizitätszahl Silizium
q   = 63000;            % spezifischer Widerstand Silizium (Ohm * cm)


% berechnete Werte

%UCE  = (1/2)*VCC;                               % Kollektor-Emitter-Spannung [Kampe2012 - V4S21]
UT   = (k*T)/e;                                 % Temperaturspannung (V) [Kampe2012 - V2S15] bzw. [TietzeSchenk2010 - S38]
IB   = IC / BF;                                 % Basisstrom (A) [Kampe2012 - V2S24] bzw. [TietzeSchenk2010 - S38]
Dn   = mn * UT;                                 % Diffussionskoeffizient n (cm^2/s) [Reisch2007 - S509]
Dp   = mp * UT;                                 % Diffussionskoeffizient p (cm^2/s) [Reisch2007 - S509]
IES  = IC / (exp(UBE/UT) - 1);                  % Emittersättigungsstrom (A) [Goerth1999 - S99|(4.5)]
wB = sqrt((UA*(e0/100)*er) / (e*NA));           % Basisweite (cm) festgelegt
A    = (IES * wB * NA) / (e * Dn * ni^2);       % Transistorquerschnitssfläche (cm^2) [Goerth1999 - S98|(4.3)]
AN   = BN / (BN + 1);                           % Stromverstärkung in Basisschaltung [TietzeSchenk2010 - S62]
AI   = BR / (BR + 1);                           % inverse Stromverstärkung in Basisschaltung
ICS  = (AN/AI)*IES;                             % Kollektorsättigungsstrom (A) [Goerth1999 - S101|(4.7)]
IE   = IC + IB;                                 % Emitterstrom (A) [Goerth1999 - S101|(4.9)]
tB   = (wB*wB)/(2*Dn);                          % Basistransitzeit (s) [Goerth1999 - S131|(4.46)]
QB   = IC*tB;                                   % Basisladung (As) [Goerth1999 - S131|(4.46)]
wT   = 1/tB;                                    % Transitkreisfrequenz (1/s) [Goerth1999 - S131]
fT   = wT/(2*pi);                               % Transitfrequenz (Hz) [Goerth1999 - S131|(4.47)]
tn   = BF*tB;                                   % Trägerlebensdauer (s) [Goerth1999 - S132|(4.48)]
fB   = fT/BF;                                   % Grenzfrequenz der Stromverstärkung (Hz) [Goerth1999 - S134|(4.52)]
S    = IC/UT;                                   % Steilheit (A/V = S(iemens)) [Goerth1999 - S135|(4.26)]
CED  = tB*S;                                    % Emitterdiffusionskapazität (As/V = F) [Goerth1999 - S136|(4.54)]
Ln   = sqrt(tn * Dn);                           % Diffusionslänge (cm) [Goerth1999 - S132]
rBE  = UT/IB;                                   % Eingangswiderstand (Ohm) [Morgenstern1992 - S169|(3.101)]
CBE0 = tB / rBE;                                % Diffussionskapazität (F) [Morgenstern1992 - S172|(3.112)]
IS   = AN * IES;                                % Transportsättigungsstrom (A) [Goerth1999 - S156|(4.82)]
qB   = (IS/IC) * (exp(UBE/UT) - 1);             % normierte Basisladung [Goerth1999 - S158|(4.84)]
QB0 = QB / qB;                                  % (As) [Goerth1999 - S158|(4.83)]
CSC = QB0/UA;                                   % Kollektorsperrschichtkapazität (As/V = F) [Goerth1999 - S159|(4.86)]
UCE = ((IC / (IS * exp(UBE/UT))) - 1) * UA;     % Kollektor-Emitter-Spannung (V) [Reisch2007 - S771]
IT  = (IS/qB) * exp(UBE/UT) * (1-exp(-UCE/UT)); % Transferstrom (A) [Reisch2007 - S769]
ICE = IS * (exp(UBE/UT) - 1);                   % Kollektor-Emitter-Strom (A) [Reisch2007 - S760|(16.20)]
IEC = (IT*qB) * ((-1) * ((IT*qB) + ICE));       % Emitter-Kollektor Strom (A) [Reisch2007 - S760|(16.18)]
UBC = UT * abs(log((IEC/IS)) + 1);              % Basis-Kollektor-Spannung (V) [Reisch2007 - S760|(16.21)]
UAR = abs(UBE / (1 - (1/qB) - (UBC/UA)));       % Rückwärts-Early-Spannung (V) [Reisch2007 - S761|(16.23)]
CJC = QB0/UA;                                   % Kollektorsperrschichtkapazität (As/V = F) [Reisch2007 - S762|(16.24)]
CJE = QB0/UAR;                                  % Emittersperrschichtkapazität (As/V = F) [Reisch2007 - S762|(16.24)]
rBE = BF/S;                                     % Eingangswiderstand (Ohm) [TietzeSchenk2010 - S44|(2.12)]
cg = S/wT
RB = rBE + ((3*rBE) / qB)
re = BF*(UT/IC)
rC = UA/IC
UBEs = (BF*IB)/S

% Werte ausgeben
fprintf('\n\nTransistorwerte für npn-Transistor:\n\n');
fprintf('UCE\t=\t%f\tV\n'   , UCE);
fprintf('UT\t=\t%f\tmV\n'   , UT*1E3);
fprintf('IC\t=\t%f\tµA\n'   , IC*1E6);
fprintf('IB\t=\t%f\tnA\n'   , IB*1E9);
fprintf('Dn\t=\t%f\tcm²/s\n', Dn);
fprintf('Dp\t=\t%f\tcm²/s\n', Dp);
fprintf('IES\t=\t%f\tfA\n'  , IES*1E15);
fprintf('wB\t=\t%f\tµm\n'   , wB*1E4);
fprintf('A\t=\t%f\tµm^2\n'  , A*100E6);
fprintf('AN\t=\t%f\t\n'     , AN);
fprintf('AI\t=\t%f\t\n'     , AI);
fprintf('ICS\t=\t%f\tfA\n'  , ICS*1E15);
fprintf('IE\t=\t%f\tµA\n'   , IE*1E6);
fprintf('tB\t=\t%f\tps\n'   , tB*1E12);
fprintf('QB\t=\t%f\tfC\n'   , QB*1E15);
fprintf('wT\t=\t%f\t1/ns\n' , wT/1E9);
fprintf('fT\t=\t%f\tMHz\n'  , fT/1E6);
fprintf('tn\t=\t%f\tns\n'   , tn*1E9);
fprintf('fB\t=\t%f\tMHz\n'  , fB/1E6);
fprintf('S\t=\t%f\tµS\n'    , S*1E6);
fprintf('CED\t=\t%f\tpF\n'  , CED*1E12);
fprintf('Ln\t=\t%f\tµm\n'   , Ln*10*1E3);
fprintf('rBE\t=\t%f\tkOhm\n', rBE/1E3);
fprintf('CBE0\t=\t%f\tfF\n' , CBE0*1E15);
fprintf('IS\t=\t%f\tfA\n'   , IS*1E15);
fprintf('qB\t=\t%f\t\n'     , qB);
fprintf('QB0\t=\t%f\tfC\n'  , QB0*1E15);
fprintf('CSC\t=\t%f\tfF\n'  , CSC*1E15);
fprintf('IT\t=\t%f\tµA\n'   , IT*1E6);
fprintf('ICE\t=\t%f\tµA\n'  , ICE*1E6);
fprintf('IEC\t=\t%f\tnA\n'  , IEC*1E9);
fprintf('UBC\t=\t%f\tV\n'   , UBC);
fprintf('UAR\t=\t%f\tV\n'   , UAR);
fprintf('CJC\t=\t%f\tfF\n'  , CJC*1E15);
fprintf('CJE\t=\t%f\tfF\n'  , CJE*1E15);
fprintf('\n\n\n');




