function npn()

% festgelegte Werte

VCC = 1.5;          % Betriebsspannung (V)
VEE = -1.5;         % Betriebsspannung (V)
IC  = 10*10^-6      % Kollektorstrom (A)
BN  = 172;          % Vorwärtsstromverstärkung 
BF  = 172;          % Vorwärtsstromverstärkung 
UBE = 0.7;          % Basis-Emiter-Spannung (V)
UBC = -0.7;         % Basis-Kollektor-Spannung (V)
ni  = 10^10;        % Inversions- oder Eigenleitungsdichte Silizium (cm^-3) [Kampe2012 - V2S4]
mn  = 1900;         % Beweglichkeit der Elektronen Silizium bei T = 300K (cm^2/Vs) [Morgenstern1989 - S72 - T3.1]
mp  = 425;          % Defektelektronenbeweglichkeit Silizium bei T = 300K (cm^2/Vs) [Morgenstern1989 - S72 - T3.1]
ni  = 1.5*10^10;    % Elektronen- oder Defektelektronendichte bei T = 300K (cm^-3) [Morgenstern1989 - S72 - T3.1]
Is  = 10^-15;       % Sperrsättigungsstrom (A) Festlegung nach [TietzeSchenk2010 - S38] - Is = 10^-16 ... 10^-12
k   = 1.38*10^-23;  % Boltzmann-Konstante (VAs/K) [Kampe2012 - V2S15]
T   = 300;          % Temperatur in Kelvin
e   = 1.602*10^-19; % Elementarladung (As) [Kampe2012 - V2S15]
n   = 1.0;          % Dotierungsindex festgelegt nach [Kampe2012 - V2S15] - 1 <= n <= 2
nf  = 1.0;          % Dotierungsindex festgelegt nach [Kampe2012 - V2S15] - 1 <= n <= 2
UA  = 82.3;         % Early-Spannung (V)
Sr   = 0;           % Rückwärtsteilheit gemäß [TietzeSchenk2010 - S45] mit 0 angenommen
UEB0 = 6;           % Emitter-Basis-Durchbruchspannung (Emitter-Diode) [TietzeSchenk2010 - S47] (festgelegt)
UCB0 = 50;          % Kollektor-Basis-Durchbruchspannung (Kollektordiode) [TietzeSchenk2010 - S48] (festgelegt)



% berechnete Werte

UCE  = 0.75;                                    % Kollektor-Emitter-Spannung [Kampe2012 - V4S21]
UT   = (k*T)/e;                                 % Temperaturspannung (V) [Kampe2012 - V2S15] bzw. [TietzeSchenk2010 - S38]
%IC   = Is * exp(UBE/(nf*UT)) * (1+(UCE/UA));    % Kollektorstrom (A) [Kampe2012 - V2S24]
%IC   = Is * exp(UBE/(nf*UT));                  % Kollektorstrom (A) [TietzeSchenk2010 - S62]
IB   = IC / BF;                                 % Basisstrom (A) [Kampe2012 - V2S24] bzw. [TietzeSchenk2010 - S38]
%IB   = (1/BF) * Is * exp(UBE/UT);              % Basisstrom (A) [TietzeSchenk2010 - S62]
B0   = BF / (1 + (UCE/UA));                     % extrapolierte Stromverstärkung bei UCE = 0V [TietzeSchenk2010 - S38]
S    = IC/UT;                                   % Steilheit [TietzeSchenk2010 - S44]
rBE  = BF / S;                                  % Kleinsignalwiderstand rBE [TietzeSchenk2010 - S44]
rCE  = UA / IC;                                 % Kleinsignalwiderstand rCE [TietzeSchenk2010 - S45]
Pv   = UCE*IC + UBE*IB;                         % Verlustleistung (W) [TietzeSchenk2010 - S49]
Tmax = 150+273.15;                              % maximale Temperatur für Silizium (K) [TietzeSchenk2010 - S49]
AN   = BN / (BN + 1);                           % Stromverstärkung in Basisschaltung [TietzeSchenk2010 - S62]
IE   = -(IC/AN);                                % Emitterstrom [TietzeSchenk2010 - S62]
AI   = -(IE/IC);                                % Stromverstärkung Rückwärtsbetrieb in Basisschaltung [TietzeSchenk2010 - S62]
BI   = AI / (1-AI);                             % Stromverstärkung Rückwärtsbetrieb in Emitterschaltung [TietzeSchenk2010 - S63]
BR   = BI;



% Werte ausgeben
fprintf('\n\n\nTransistorwerte für npn-Transistor:\n\n');
fprintf('UCE\t=\t%f\tV\n'   , UCE);
fprintf('UT\t=\t%f\tmV\n'   , UT*1E3);
fprintf('IC\t=\t%f\tmA\n'   , IC*1E3);
fprintf('IB\t=\t%f\tµA\n'   , IB*1E6);
fprintf('B0\t=\t%f\t\n'     , B0);
fprintf('S\t=\t%f\t1/Ohm\n' , S);
fprintf('rBE\t=\t%f\tOhm\n' , rBE);
fprintf('rCE\t=\t%f\tOhm\n' , rCE);
fprintf('Pv\t=\t%f\tµW\n'   , Pv*1E6);
fprintf('Tmax\t=\t%f\tK\n'  , Tmax);
fprintf('AN\t=\t%f\t\n'     , AN);
fprintf('IE\t=\t%f\tµA\n'   , IE*1E6);
fprintf('AI\t=\t%f\t\n'     , AI);
fprintf('BI\t=\t%f\t\n'     , BI);
fprintf('\n\n\n');



%{
Dn  = mn * UT                                   % Diffussionskoeffizient n (V) [Reisch2007 - S509]
Dp  = mp * UT                                   % Diffussionskoeffizient p (V) [Reisch2007 - S509]
qB  = 1 / (1 + (UCE/UA))                        % normierte Basisladung [Kampe2012 - V2S24]
IBE = (Is/BF) * ((exp(UBE/(nf*UT))) - 1)        % Basis-Emitter-Diode (A) [Kampe2012 - V2S21]
IBC = IB - IBE                                  % Basis-Kollektor-Diode (A) [Kampe2012 - V2S24]
ICE = IC - IBC                                  % [Kampe2012 - V2S24]     
IT  = (Is/qB) * exp(UBE/UT) * (1-exp(-UCE/UT))  % Transferstrom (A) [Reisch2007 - S769]
BR  = -(ICE/IC)                                 % Rückwärtsstromverstärkung [Reisch2007 - S770]
%}