function npn()

% festgelegte Werte

VCC = 1.5;          % Betriebsspannung (V)
VEE = -1.5;         % Betriebsspannung (V)
BN  = 172;          % Vorwärtsstromverstärkung 
BF  = 172;          % Vorwärtsstromverstärkung 
UBE = 0.7;          % Basis-Emiter-Spannung (V)
ni  = 10^10;        % Inversions- oder Eigenleitungsdichte Silizium (cm^-3) [Kampe2012 - V2S4]
mn  = 1900;         % Beweglichkeit der Elektronen Silizium bei T = 300K (cm^2/Vs) [Morgenstern1989 - S72 - T3.1]
mp  = 425;          % Defektelektronenbeweglichkeit Silizium bei T = 300K (cm^2/Vs) [Morgenstern1989 - S72 - T3.1]
ni  = 1.5*10^10;    % Elektronen- oder Defektelektronendichte bei T = 300K (cm^-3) [Morgenstern1989 - S72 - T3.1]
Is  = 1^-15;       % Sperrsättigungsstrom (A)
k   = 1.38*10^-23;  % Boltzmann-Konstante (VAs/K) [Kampe2012 - V2S15]
T   = 300;          % Temperatur in Kelvin
e   = 1.602*10^-19; % Elementarladung (As) [Kampe2012 - V2S15]
n   = 1.1;          % Dotierungsindex festgelegt nach [Kampe2012 - V2S15] - 1 <= n <= 2
nf  = 1.1;          % Dotierungsindex festgelegt nach [Kampe2012 - V2S15] - 1 <= n <= 2
UA  = 82.3;         % Early-Spannung (V)

% berechnete Werte

UCE = 1/2 * VCC                                 % Kollektor-Emitter-Spannung [Kampe2012 - V4S21]
AN  = BN / (BN + 1)                             % Stromverstärkung in Basisschaltung (muss < 1 sein) [Reisch2007 - S750ff] 
UT  = (k*T)/e                                   % Temperaturspannung (V) [Kampe2012 - V2S15]
Dn  = mn * UT                                   % Diffussionskoeffizient n (V) [Reisch2007 - S509]
Dp  = mp * UT                                   % Diffussionskoeffizient p (V) [Reisch2007 - S509]


IC  = Is * exp(UBE/(nf*UT)) * (1+(UCE/UA))      % Kollektorstrom (A) [Kampe2012 - V2S24]
IB  = IC / BF                                   % Basisstrom (A) [Kampe2012 - V2S24]
qB  = 1 / (1 + (UCE/UA))                        % normierte Basisladung [Kampe2012 - V2S24]
IBE = (Is/BF) * ((exp(UBE/(nf*UT))) - 1)        % Basis-Emitter-Diode (A) [Kampe2012 - V2S21]
IBC = IB - IBE                                  % Basis-Kollektor-Diode (A) [Kampe2012 - V2S24]
ICE = IC - IBC                                  % [Kampe2012 - V2S24]     
IT  = (Is/qB) * exp(UBE/UT) * (1-exp(-UCE/UT))  % Transferstrom (A) [Reisch2007 - S769]
BR  = -(ICE/IC)                                 % Rückwärtsstromverstärkung [Reisch2007 - S770]
UBC = UBE - UCE
(Is/BR)*(exp(UBC/(nf*UT))-1)
IE = IC + IB
AI=-IE/IC
BI=IE/IB
